Facile preparation of porous CuWO4 electrode and its structural and photoelectrochemical properties.
CuWO4, fotoeletroquímica, fotocatálise heterogênea
Neste trabalho, foram investigadas as propriedades estruturais e fotoeletroquímicas de filme poroso de CuWO4 sintetizado pelo método de coprecipitação seguido de tratamento hidrotermal. O filme foi depositado sobre vidro condutor-FTO a partir de uma suspensão contendo polietilenoglicol e calcinação (500ºC, 30 min). Análises de difração de raios X associadas a refinamento Rietveld mostraram que CuWO4 tem uma estrutura triclínica com alta periodicidade; resultado também confirmado pelas análises e micro-raman. A energia de band gap para os filmes com espessura de (4,0 ± 0,5) µm foi estimada em 2,45 eV pelo método de Tauc. As propriedades fotoeletroquímicas do filme foram estudadas em solução aquosa de Na2SO4 na ausência de luz e sob irradiação policromática. O filme de CuWO4 exibiu comportamento fotoeletroquímico de semicondutor do tipo-n, com fotopotencial negativo e densidade de fotocorrente anódica de 68 µA cm-2 em 0,73 V vs. Ag/AgCl (1,23 V vs. RHE). O comportamento tipo-n do semicondutor também foi confirmado nos estudos de cronoamperometria com o eletrodo polarizado a 0,7 V em diferentes valores de pH. Observou-se que um aumento no pH de 3 para 11 aumentou a densidade de fotocorrente em cerca de 9 vezes. O potencial de banda plana (flat band potential, Efb) do semicondutor foi estimado em + 0,34 V (vs. Ag/AgCl), seguindo o modelo de Butler-Gärtner. Esse estudo revela um promissor fotoanodo para aplicação em processos fotocatalíticos sobre irradiação de luz visivel.