Neste trabalho, eletrodo poroso de CuWO4 foi preparada pelo método de co-precipitação seguida por tratamento hidrotérmico em autoclave a 200 ºC por 8h. O filme foi depositado sobre vidro condutor FTO, a partir de suspensão do óxido contendo polietileno glicol e calcinação (500 °C, 30 min). Análise de difração de raios X associada ao refinamento de Rietveld mostrou que o filme de CuWO4 tem uma estrutura triclínica com alta periodicidade, este resultado foi confirmado por meio de análise de micro-Raman. O intervalo de banda proibida do filme (espessura: 4,0 ± 0,5 mm) foi estimada em 2,45 eV pelo método TAUC. As propriedades fotoeletroquímicas foram investigados em solução aquosa de Na2SO4, na ausência de luz e sob irradiação policromática. O filme CuWO4 exibiu comportamento fotoeletroquímico típico de semicondutor do tipo-n, com fotopotencial negativo e densidade de fotocorrente anódica de 68 mA cm-2 em 0,73 V vs. Ag/AgCl (1.23V vs RHE). O comportamento de condutividade do tipo-n foi confirmado por medida de cronoamperometria com polarização de +0,7 V em diferentes valores de pH. Além disso, a partir de estudos de cronoamperometria, observou-se que quando os valores de pH aumentavam de 3 para 11 a densidade de fotocorrente aumentou cerca de 9 vezes. O eletrodo foi utilizado para a degradação de solução aquosa do corante Rodamina B (1,0 mmol L-1) utilizando as configurações de fotocatálise heterogênea (FH) e fotocatálise heterogênea eletroassistida (FHE). Após 165 min de irradiação, o filme de CuWO4 promoveu a degradação de 35 e 45,3%, em condições de FH e FHE, respectivamente. Os resultados demostram que a aplicação do potencial no eletrodo de CuWO4 minimiza a recombinação dos portadores de carga fotogerados e aumenta a atividade fotocatalítica.