Nesse trabalho, realizou-se estudos de monocamada de WSe2, crescido por CVD e transferido para um substrato perfurado de SiO2/Si, em dependência com a temperatura e potência de excita c~ao atrav es das técnicas de espectroscopia Raman e fotoluminescência. A morfologia da amostra foi comprovada por AFM revelando a existência de resíduos poliméricos e por conta disso a altura do ake foi de 1.63 nm, enquanto que, a esperada para a monocamada de WSe2 1 nm. O modo Raman A1g (fora do plano) por ser o mais intenso foi o objeto das investigações desse trabalho, observou-se que com o aumento de temperatura no intervalo de 98- 513 K, o n umero de onda do modo A1g deslocou-se linearmente para menores números de onda, e atrav es da inclina c~ao do gr aco da N umero de Onda vs: Temperatura obteve-se o coeciente de temperatura de primeira ordem de -0,0044 e -0,0064 cm-1/K para a monocamada de WSe2 suspenso e suportado, respectivamente. O alto valor do coeciente para a amostra suportada, em rela cão a amostra suspensa, est a relacionado ao aumento da anarmonicidade devido ao espalhamento de fônon com a superfície rugosa do substrato de Si. Os par^ametros de Gruneisen foram obtidos atrav es dos coecientes de temperatura, coeficiente de expansão térmica e o modo de vibra cão A1g, para a monocamada suspensa e suportada e os valores foram de 0.73 e 1.06, respectivamente. Essas análises revelaram a influência do substrato de Si nas propriedades térmicas da monocamada de WSe2, que pode ser util no desenvolvimento de dispositivos a base de materiais 2D atomicamente nos. Estudos de fotoluminescência em dependência com a temperatura e potência de excita c~ao buscou-se entender as propriedades de emissão e dinâmica de exciton. Vericou-se um pico de emissão de fotoluminescência de excitons localizados entre 1.64 e 1.69 eV do gr aco da Energia vs: Temperatura, que possui uma forma assimétrica. Al em disso, foi observado emissão de exciton que pode estar relacionado a efeitos indesejados como resíduos poliméricos deixados após as etapas de transferência, a própria rugosidade do substrato entre outros, vistos através dos deslocamentos para menores valores de energia nos espectros. Portanto o entendimento das complexas propriedades excitônicas da monocamada de WSe2 são de grande interesse para se alcançar novos dispositivos optoeletrônicos.