Banca de DEFESA: ANDERSON GOMES VIEIRA

Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: ANDERSON GOMES VIEIRA
DATA: 24/09/2015
HORA: 10:00
LOCAL: Auditório do Departamento de Física
TÍTULO:

Espectroscopia Raman em camadas de TMDs suspensos sob variação de temperatura e potência.

PALAVRAS-CHAVES:

Espectroscopia Raman, conditividade térmica, Metais de transição dicalcogenóides

PÁGINAS: 60
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
SUBÁREA: Física da Matéria Condensada
RESUMO:

Neste trabalho nós relatamos as características dos modos Raman de filmes de semicondutores de metais de transição dicalcogenóides (TMDs), com variação da temperatura e potência dos lasers aplicados. A maior parte dos estudos foram realizados com o filmes sobre o substrato em que o material correspondente foi cultivado ou transferido após a esfoliação (isto é, SiO2). No entanto, as propriedades das camadas finas são fortemente influenciadas pelo substrato. Amostras suspensas de TMDs foram fabricadas através da transferência de monocamadas de WS2 sobre substratos de Si3N4 que foram previamente perfurados por um feixe de íons focalizado (Ga+). Os espectros Raman exibiram picos de intensidade mais elevadas para ambos principais modos vibracionais na região onde o filme estava suspenso em comparação com as regiões que estavam diretamente sobre o substrato de Si3N4. Finalmente, os efeitos da temperatura aplicada nas camadas de TMDs resultou em mudanças de posições de picos no espectro de Raman. As mudanças registradas foram analisados e o coeficiente de condutividade térmica foi calculado para cada tipo de TMD, com base em outros trabalhos já realizados para TMDs e grafeno.

MEMBROS DA BANCA:
Interno - 1623821 - ACRISIO LINS DE AGUIAR
Externo à Instituição - ANTONIO GOMES DE SOUZA FILHO - UFC
Presidente - 1570906 - BARTOLOMEU CRUZ VIANA NETO
Interno - 1720015 - GARDENIA DE SOUSA PINHEIRO