Propriedades eletrônicas e de transporte em nanofitas de grafeno com bordas de arranjos complexos
Nanoestruturas de carbono grafíticas, estados magnéticos, condutância quântica
Neste trabalho, foram feitas simulações computacionais para se determinar as propriedades eletrônicas e de transporte em nanofitas de grafeno com bordas de geometria complexa. Quanto à estrutura eletrônica as simulações se basearam no método Tight Binding, utilizando ainda um Hamiltoniano de Hubbard que acrescenta ao Hamiltoniano do sistema um parâmetro on site de repulsão eletrônica. Os cálculos referentes ao transporte eletrônico foram obtidos por meio das funções de Green via formalismo de Landauer - Büttiker. Observamos que as propriedades eletrônicas e de transporte da estrutura estudada, que chamamos de RGNW do inglês reflected graphene nanowiggles ou nanofitas de grafeno de bordas sinuosas refletidas, possuem forte dependência com a sua geometria e configuração magnética. Esta dependência é caracterizada por bandas de energia com um gap variável, níveis eletrônicos degenerados ou não com relação ao spin e diferenças acentuadas nas bandas associadas às densidades de spin estudadas. Além disso, observamos esta dependência no perfil da condutância para cada um dos sistemas. Nós focamos nossa investigação nas bandas próximas ao Nível de Fermi, uma
vez que é bem conhecido da literatura que para este limite o método Tight Binding tem boa concordância com métodos mais sofisticados. Propomos que, por conta desta variação na estrutura eletrônica e de transporte, podemos pensar em aplicar tais sistemas à nanoeletrônica e spintrônica, uma vez que podemos controlar as propriedades do sistema através de sua configuração magnética, idealizando uma chave de circuito por exemplo. Constatamos também que a configuração antiferromagnética (AFM-AAAA) é a mais estável.