Propriedades de Transporte em Gases de Elétrons Bidimensionais na
presença de um potencial periódico bidimensional.
Efeito Hall Quântico, Gás de Elétrons Bidimensional,
Interação Spin-Órbita, Propriedades de Transporte, Magneto-transporte,
Modelo Tight-Binding.
Em alguns sistemas, como por exemplo, o MOSFET de silício ou
poços quânticos do tipo GaAs/AlGaAs, encontramos elétrons que se
comportam como um gás de elétrons em duas dimensões (GE2D). Estes
sistemas, capazes de confinar elétrons em duas dimensões, são
possíveis graças ao desenvolvimento das técnicas de crescimento de
materiais. Dois exemplos destas técnicas são a MBE (Molecular Beam
Epitaxy) e a MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). A
relativa facilidade de fabricação destes sistemas atraiu o interesse
no estudo de GE2D através da descrição de suas propriedades de
transporte, tendo em vista a aplicação em dispositivos. Merece
destaque no estudo do GE2D a medição da condutividade Hall em um
MOSFET de silício, realizadas por von Klitzing e colaboradores em 1980
e que resultaram no premio Nobel de 1985 devido a descoberta do efeito
Hall quântico. Nosso objetivo geral neste projeto é determinar a
influência relativa das interações Zeeman e Spin-Órbita sobre as
propriedades de transporte e termodinâmicas de um GE2D bidimensional
nanoestruturado, submetido a um potencial periódico bidimensional numa
rede quadrada.