Banca de QUALIFICAÇÃO: GUILHERME SEVERINO MENDES DE ARAÚJO

Uma banca de QUALIFICAÇÃO de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: GUILHERME SEVERINO MENDES DE ARAÚJO
DATA: 01/07/2021
HORA: 09:00
LOCAL: Remota - Plataforma Google Meet
TÍTULO: Influência do ar ambiente nas características elétrica J x V dos dispositivos ITO/MEH-PPV/Al: memória, sensor e PLED.
PALAVRAS-CHAVES: MEH-PPV, PLED, Sensores, Memória eletrônica, Dispositivos polimericos.
PÁGINAS: 47
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
RESUMO:

Polímeros semicondutores têm atraído grande atenção nos recentes anos para aplicação em
PLED, sensores e memória eletrônica. Dispositivos biestáveis, ou multiestáveis, com estrutura
“botom electrode/Polymer/Up electrode” têm sido estudados e desenvolvidos como materiais
alternativos ou suplementares para a próxima geração de memórias voláteis e não voláteis. Alguns
deles apresentam forte influência do ar ambiente na produção da biestabilidade ou
multiestabilidade. Nós construímos os dispositivos de heterojunção ITO/MEH-PPV/Al e
ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al e estudamos a influência do ar ambiente nas suas curvas Corrente
x tensão (I x V). Eles foram medidos em ar-vácuo e numa câmara onde se pôde variar a
concentração do ar através de um fluxo de gás inerte (Argônio - Ar). Através das medidas em vácuo
observamos o aumento da condutividade elétrica em baixo potencial elétrico para ambos os
dispositivos. Além da forte Resistência Diferencial Negativa (NDR) com pontos de luz distribuídos
na área ativa para o dispositivo ITO/MEH-PPV/Al. Verificamos que ele apresentou um tipo de
memória não volátil com quatros estados nomeados de “0”, “1”, “2” e “3”, quando medidos em
vácuo. O mesmo apresentou uma resposta como sensor, através das medidas variando o fluxo de
argônio na câmara, com tempo de resposta de 20 min. Enquanto que o dispositivo com PEDOT:PSS
apresentou eletroluminescência homogênea na área ativa, tiveram forte redução na NDR e o tempo
de resposta para o sensor foi reduzido entre 1 a 4 min. A inserção da camada de PEDOT:PSS entre
o ITO e o MEH-PPV desempenhou um papel importante na confecção desses dispositivos.
Algumas discussões são propostas para a produção de alta condutividade e o chaveamento entre os
estados.

MEMBROS DA BANCA:
Externo ao Programa - 2065436 - ALEXANDRE DE CASTRO MACIEL
Presidente - 2056226 - CLEANIO DA LUZ LIMA
Interno - 1720015 - GARDENIA DE SOUSA PINHEIRO
Externo à Instituição - LUCAS FUGIKAWA SANTOS - UNESP
Interno - 1714296 - MARIA LETICIA VEGA