O objetivo deste trabalho é analisar o comportamento dos filmes de TiN, em relação aos substratos e tempos de deposições,  no processo de nitretação. Estes filmes foram crescidos em substratos de silício e silício com gálio, através da técnica conhecida como CCPN (Nitretação a Plasma com Gaiola Catódica) durante 0.5, 1.0, 2.0, 3.0 e 4.0 h. Nos espectros Raman dos filmes TiN, pode-se observar modos de vibrações acústico transversal (TA), acústico longitudinal (LA), acústico de segunda ordem (2 A) e óptico transversal (TO), assim como, seus deslocamentos para diferentes números de ondas com o tempo de deposição. Com a analise de multipicos sobre os espectros Raman do TiN, obteve-se os valores das áreas internas das bandas  referentes aos modos vibracionais, onde foram usados na quantização de nitrogênio nos filmes de TiN, apenas os modos TA, LA e TO. Observou-se que em substratos de silício a razão N/Ti cresce quase que linearmente, enquanto que na amostra de silício com gálio essa razão decresce bruscamente até 2h, e em seguida permanece praticamente constante até 4h de deposição. Nesse sentido procurou-se investigar a influência dos parâmetros de processo como tempo de deposição e tipo de substrato na concentração de nitrogênio em relação ao titânio presentes nos filmes de TiN. Possivelmente esse comportamento anômalo da razão N/Ti para cada substrato, seja conseqüência da presença de bolas de gálio, que talvez, tenha influenciado no processo de deposição.