ESTADOS MAGNÉTICOS DE NANOFITAS DE GRAFENO COM DEFEITOS ESTRUTURAIS
Nanofitas de Grafeno. Dispositivos Eletrônicos. Método Tight Binding.
As nanoestruturas de carbono da classe de materiais com hibridização sp2 são promissoras para a tecnologia moderna. Isso porque há um limite físico na miniaturização da eletrônica baseada no silício. O grafeno, após ter sido isolado em 2004 pelos cientistas Adré Geim e Kostantin Novoselov, ganhou destaque na comunidade científica promovendo um crescente estudo teórico e experimental do mesmo e de estruturas correlacionadas, como nanofitas. Em particular, as nanofitas de grafeno tem atraído uma atenção considerável devido suas excelentes propriedades eletrônicas e magnéticas promissoras para a aplicação na eletrônica e spintrônica. Estas estruturas podem possibilitar o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos com maior poder de armazenamento e de velocidade no processamento de informações com baixo consumo de energia. Neste trabalho, tivemos como objetivo realizar um estudo sistemático das propriedades eletrônicas e magnéticas das nanofitas de grafeno com borda zigzag com defeitos inseridos no centro da fita. Para isso, realizamos cálculos computacionais baseados no método semi-empírico tight binding com a complementação do Hamiltoniano de Hubbard, a fim de verificar a influência das vacâncias em diferentes estados magnéticos.